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DG CONCEPT KOREA
DCK 디지콘셉코리아

Analysis Lab Service

분석 Lab 서비스

IC 분석 서비스

IC 분석 서비스

IC chip의 분석은 전기적 테스트 및 비파괴 검사후 파괴분석을 하게 됩니다. 특히 파괴 분석시에는 시편 전처리가 매우 중요하기 때문에 다양한 방법에 대한 경험, 숙련도가 필요합니다. 디지콘셉코리아에서는 다양한 시편 전처리 솔루션을 보유하고 있으며 25년의 축적된 경험을 바탕으로 시편 전처리 및 분석 서비스를 하고 있습니다.

시편준비

  • Diamond Cutting : PCB, Mold, Metallic, Glass, etc
  • Surface Grinding
  • Pt Coating
  • Wafer Cleaving : 〈 50㎛ 패턴 Cleaving
  • End milling(Packages, PCB, Metals)
  • Epoxy molding
  • 세트 분해
  • Diamond Cutting
  • Pt Coating
  • End milling(PCB)
W/F Cleaving 과정
  • Place sample
  • Indent
  • Cleave
  • Wafer Cleaving and
    Down sizing

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케미컬 에칭

  • Oxide etch
  • Oxide etch
  • Junction Stain
  • Junction Stain
  • Gel, 수지 제거 전
  • Gel, 수지 제거 후
  • 수지제거 전
  • 수지제거 후
  • Solder ball 에치 후
  • Passivation Crack
  • Ball 및 Pad metal 에치 후

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De-Layering 분석

  • 불량은 IC의 표면 및 내부 layer에 존재 할 수 있으며, 칩 내부 Layer를 관찰하기 위해서는 IC chip 제조 공정의 역순으로 한 layer씩 반복적으로 Strip하면서
    분석해야 합니다. 이러한 분석을 De-layering 분석이라 합니다.
  • 디지콘셉코리아는 건식식각, 케미컬 에칭, 폴리싱 등의 방법을 최적화하여 고품질의 Layer를 제작 후 분석하고 있습니다.
  • M4, Top metal layer
  • M3 layer
  • M2 layer
  • M1 layer
  • Poly layer

pFA 분석

불량위치를 Localization한 후 De-layering을 하면서 분석합니다.

  • I-V curve
  • EMMI
  • De-layering 후 (M2 layer)
  • SEM inspection (M2)
    : Short유발 이물 발견됨
  • SEM inspection (M2)
    : Zoom inspection
  • SEM EDS 성분 분석
    : Cu이물에 의한 Short발생

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SEM PVC 분석

PVC(Passive voltage contrast)분석은 SEM을 이용하여 불량위치를 특정하는 방법입니다.

  • PVC 검사
  • 불량위치 특정
  • Damage 불량
  • TEM 분석
    : Damage 확인
  • TEM EDS
    Mapping 분석

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회로 추출

IC를 De-layering 하면서 광학현미경 또는 전자현미경을 이용하여 고해상도로 촬영하여 합성합니다.

  • 광학현미경 고배율 촬영 및 합성
  • 전자현미경 고배율 촬영 및 합성

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PCB De-Layering

PCB 기판을 De-layering 하면서 광학현미경을 이용하여 파노라마 촬영을 합니다.

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Active layer 제조 및 분석

IC 기판을 제외한 상부 Passivation layer 및 내부의 모든 Metal layer를 제거 후 분석하는 방법입니다.

  • Al metal 배선 제거됨 Active 제조(Direct)
    후 검사
  • Cu metal 배선 제거됨 Cu Active 제조
    후 검사
분석사례
  • Active 제조 후 불량분석
  • Active layer 고배율 타일링

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CP 분석

FIB, Ar ion beam x-section polishing, Epoxy Molding(Cold) and polishing 단면 분석이 가능합니다.

Ion beam Cross section and polishing(CP)
  • 관찰영역 : 약 300㎛ ~ 500㎛의 폭
  • High quality
  • BUMP 단면
  • Solder ball 단면
  • RDL 단면

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몰딩 및 폴리싱 단면 분석

  • 진공 함침 몰딩
  • Mechanical grinding and polishing
  • 관찰영역 : 시료 전체
  • BUMP 단면
  • Epoxy mold
    : FE SEM 관찰 용이
  • PCB crack 단면 분석
  • PCB bump 단면 분석

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Electrical Test

  • I-V curve 측정(TR 특성, Open, Short)
  • 370A, 370B, Probe station
  • 적용분야 : Package level, MOSFET, Diode, IGBT, ETC
  • 불량
  • 양품
  • Probe station

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비파괴 검사

X-ray, SAT(Scanning Acoustic Tomography), SWIR 광학현미경을 이용한 분석으로 시료의 손상 없이 Package Delamination, Wire 단락, IC Backside damage, Crack 등을 검사합니다.

  • X-Ray
  • X-Ray
  • SAT(초음파 현미경)
  • SWIR 현미경

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FTIR 유기분석

현미경 FTIR (푸리에 변환 적외선 분광법)은 적외선 흡수 Spectrum 분석을 통하여 유기물의 성분을 분석하는 방법입니다. 현미경 ATR 모드 지원으로 마이크로 크기의 이물분석까지 가능합니다.

  • Spectrum 분석
  • Fitting 후 유기 성분 규명 (ABS 수지)

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